三星电子在4纳米工艺方面取得了显著进步 良率和产能都有所提升

5 月 3 日消息，三星先前因芯片良率问题一直被业界诟病，但据韩国每日经济新闻英文版网站 The Pulse 报道，近期三星称，其 4 纳米芯片制程良率已改善、接近 5 纳米的水准，下一代 4 纳米制程将提供更高的良率。

三星电子去年推出了 4 纳米芯片技术，但由于良率不高，导致部分客户转投台积电，包括高通公司，IT之家注意到，三星电子也不得不在其 Galaxy S22 手机中使用骁龙 8 芯片，而不是自家的 Exynos 2200 芯片。

然而今年以来，三星电子在 4 纳米工艺方面取得了显著进步，良率和产能都有所提升。据三星电子在社交媒体上透露，其 4 纳米工艺的良率已经接近 5 纳米工艺的水平，并且有望进一步提高。“下一代 4 纳米工艺将提供更先进的良率。”三星电子表示。业内人士认为，这是三星电子罕见地向公众公开其芯片良率的细节，显示出其对自身技术的信心。

随着 4 纳米芯片的质量和数量的提升，三星电子也开始重新吸引客户的订单。据业内消息人士透露，美国芯片巨头 AMD 公司已经选择了三星电子作为其 4 纳米处理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也将委托三星电子生产其 Pixel 8 智能手机的 Tensor 3 芯片，采用三星电子第三代 4 纳米工艺节点。