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三星新一代3nm制程SF3将亮相VLSI 2023:较4nm FinFET能效改进34%

时间 2023-05-08 16:57:27 来源:IT之家  

5 月 8 日消息,2023 国际超大规模集成电路技术研讨会将于 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行。官方现提前透露了一些将会在此次顶会上揭晓的内容。

除了技术演示外,VLSI 研讨会还将包括演示会议、联合焦点会议、晚间小组讨论、短期课程、研讨会和特别论坛。届时还会有一些科技前沿的 CMOS 技术重点论文,例如“全球首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺(SF3)”。

三星 3nm 技术之所以如此备受期待,是因为它实现从 FinFET 到 Gate-All-Around 晶体管架构的转变。据称,SF3 相较 4nm FinFET 平台实现了 22% 频率提升、34% 能效改进、21% 面积微缩(PPA) 。

三星 SF3 技术是业界首款量产 GAA 工艺的升级版,采用多桥通道 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)设计,可以为各种纳米片宽度提供相当不错的性能,在固定的标准单元高度下显著提高了芯片级的功耗性能矩阵,从而超越 FinFET 平台。

根据韩国媒体的说法,三星 2023-2024 年将以 3nm 生产为主,即 SF3 (3GAP) 及其改进版本 SF3P (3GAP+),其生产良率初期可维持在 60-70% 的范围内,而且该公司还计划于 2025-2026 年开始推出其 2 纳米级别节点。

在三星与台积电都进入 3nm 制程的时代之后,未来 3nm 制程将会成为晶圆代工市场的主流。因此,预计到 2025 年之际,3nm 制程市场的产值将会高达 255 亿美元(IT之家备注:当前约 1762.05 亿元人民币),超越 5nm 时预估的 193 亿美元产值。

市场调查机构 TrendForce 的数据显示,2022 年第三季,在全球晶圆代工市场中,台积电仍以 53.4% 市场份额稳居第一,排名第二的三星市场份额仅 16.4%。所以,在市场激烈的竞争下,也使得 3nm 制程将成为未来两家公司主要竞争的关键。

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