台积电的2nm工艺将放弃FinT晶体管结构 你知道吗？

未来两年，台积电的2nm工艺将放弃Fin晶体管结构

在先进工艺上，台积电最近几年摇身一变成为全球的领导者，量产的3nm也是目前最先进的，Intel的主力工艺还是Intel 7，也就是之前的10nm SF工艺演进而来。

但在未来两年，格局可能会发生变化，因为Intel的目标是4年内掌握5代CPU工艺，特别是2024年Intel会在上半年、下半年分别量产20A、18A工艺，等效友商的2nm及1.8nm工艺。

18A是Intel四年掌握五代CPU工艺中的最后一环，是20A工艺的改进版，每瓦性能比提升10%，同时它也是对外代工的主力，前不久还跟ARM达成了合作协议，基于18A工艺量产先进的ARM芯片。

同时18A工艺是Intel跟台积电竞争的关键，后者的2nm工艺预计在2025年才能量产，一旦Intel如期搞定18A，那么会在技术及量产进度上超越台积电，重新成为半导体工艺领导者。

面对Intel的追赶甚至反超，台积电联席CEO魏哲家上周也回应了此事，他表示不会评价竞争对手的发展，但台积电的N3工艺率先实现大批量生产，是当前最先进的，N2工艺还会再次这么做，甚至会扩大领导地位。

台积电的2nm工艺将放弃FinFET晶体管结构，首次使用GAA晶体管，相较于其N3E(3nm的低成本版)工艺，在相同功耗下，台积电2nm工艺的性能将提升10~15%;而在相同性能下，台积电2nm工艺的功耗将降低23~30%。

不过2nm工艺的晶体管密度仅提升了10%，相比之前的工艺提升60-70%大为缩水，更没有达到摩尔定律所需的100%密度提升。