SK海力士将扩展其HBM3后道工艺生产线 已收到英伟达要求其送测HBM3E样品的请求 环球观焦点

6 月 18 日消息，据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求

据称，考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加，SK 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。

业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代，被誉为是第五代半导体产品。

SK 海力士目前正致力于开发该产品，目标是在明年上半年实现量产。SK 海力士副总裁朴明秀在今年 4 月的第一季度收益公告电话会议上透露：“我们正在为今年下半年准备 8Gbps HBM3E 产品样品，并计划在明年上半年实现量产。”

IT之家查询发现，目前 SK 海力士在 HBM 市场已经领先于三星电子。据市场研究公司 TrendForce 称，截至去年，SK 海力士在全球 HBM 市场上占据 50% 的市场份额，而三星电子则保持在 40% 左右。

去年 6 月，SK 海力士成为世界上第一个大规模生产高性能 HBM3 的公司，从而一举奠定其市场领导地位。在通过 HBM3 样品的严格性能评估后，成功满足了高端客户的需求，目前已经在为 NVIDIA H100 供应。

如果他们成功交付第五代 HBM 产品，将进一步巩固他们在超快速 AI 半导体市场上的领先地位。